„Bipolar" bezieht sich auf die Art des Stroms, der durchfließt. Das bedeutet, dass er sehr hohe Ströme oder Spannungen für ein kleines Spannungssignal verarbeiten kann.

Der Transistor ist ein „hybrides" Bauelement, weil er zwei verschiedene Arten von Ladungsträgern hat: Löcher und Elektronen.

Es handelt sich um ein 4-lagiges PNPN-Bauelement mit drei PN-Übergängen. Er hat 3 Anschlüsse: Gate, Kollektor und Emitter. Die früheren Bezeichnungen der beiden Transistoren implizieren auch die Bedeutung dieser Anschlüsse. Der Gate-Anschluss ist der Teil, der den Eingang empfängt, und der Emitter eines BJT ist der Teil, der den Ausgang liefert.

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Ein IGBT besteht aus vier Halbleiterschichten, die in einer PNPN-Struktur gruppiert sind. Die Kathodenelektrode (C) ist mit der positiven P-Schicht verbunden, während die Anode (E) zwischen den P- und N-Halbleiterebenen liegt. 

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Für die Konstruktion des IGBT wird ein P+-Substrat verwendet. Die N-Schicht wird daraufgelegt, um den PN-Übergang J1 zu bilden. Anschließend werden zwei Bereiche, die aus einer Reihe von P+- und N+-Schichten bestehen, darauf aufgebaut, um die gewünschte Struktur zu bilden, die aus zwei identischen, parallel geschalteten Teilen besteht, die jedoch bei Aktivierung entgegengesetzte Polaritäten aufweisen. 

Ein Emitter ist an der P+-Schicht befestigt und berührt die N+-Schicht nicht. Er sendet Elektronen in die N-Schicht aus (daher die Bezeichnung „Emitter"). Ein Siliziumdioxid-Isolator schützt das Gate davor, diesen Bereich zu berühren. Löcher werden in den P+-Bereich injiziert, der als „Injektor"-Bereich bezeichnet wird. 

Die N-Schicht wird als Driftbereich bezeichnet, und ihre Dicke ist proportional zur Spannungssperrkapazität. Darüber befindet sich eine weitere Schicht, die als „Körper" des IGBT bezeichnet wird.

An der Sperrschicht ist eine N-Schicht in der Lage, den Strom vom Emitter zum Kollektor fließen zu lassen. Dies ist möglich, weil es zwischen ihnen einen Pfad in Form eines Kanals gibt, der durch Anlegen einer Spannung an einer invertierten Schicht entsteht.

IGBTs sind eine Art von Halbleitern, die in verschiedenen Anwendungen wie AC- und DC-Motorantrieben eingesetzt werden. IGBTs vereinen die besten Eigenschaften von Halbleitern mit geringem Stromverbrauch und schnellen Schaltvorrichtungen, während sie einen Ausgangsspannungskoeffizienten von 0,5 % beibehalten.

In ungeregelten Stromversorgungen (USV), Schaltnetzteilen (SMPS), Traktionsmotorsteuerungen und Induktionsheizungen, Wechselrichtern und anderen Geräten wird ein gategesteuerter FET mit einem bipolaren Leistungstransistor in einem einzigen Gerät kombiniert.